透明导电薄膜是许多光电子器件的重要组成部分。目前铟锡氧化物(ITO)由于它的高电导率和透光率，已经成为透明导电薄膜的主要材料。但ITO也存在着一些缺点:一方面制备费用昂贵;另一方面一旦其导电性能会大幅下降。因而开发可替代ITO的新材料成为极为重要的研究课题。 目前，有望替代ITO的透明导电材料有掺杂Zn0、碳纳米管、石
全国服务热线：18852082919
全国服务热线：18852082919
透明导电薄膜是许多光电子器件的重要组成部分。目前铟锡氧化物(ITO)由于它的高电导率和透光率，已经成为透明导电薄膜的主要材料。但ITO也存在着一些缺点:一方面制备费用昂贵;另一方面一旦其导电性能会大幅下降。因而开发可替代ITO的新材料成为极为重要的研究课题。 目前，有望替代ITO的透明导电材料有掺杂Zn0、碳纳米管、石
透明导电薄膜是许多光电子器件的重要组成部分。目前铟锡氧化物(ITO)由于它的高电导率和透光率，已经成为透明导电薄膜的主要材料。但ITO也存在着一些缺点:一方面制备费用昂贵;另一方面一旦其导电性能会大幅下降。因而开发可替代ITO的新材料成为极为重要的研究课题。 目前，有望替代ITO的透明导电材料有掺杂Zn0、碳纳米管、石墨烯、金属栅和金属纳米线等。其中金属纳米线中的铜纳米线由于具有良好的电学、力学和化学性能，可满足未来光电器件对材料的要求。同时铜纳米线价格低廉与丰富的储存量，使得对铜纳米线的研究也同样具有重要意义，因此被视为最具潜力的柔性透明电极材料之一。此外由于铜纳米线的大长径比效应，使其在导电胶、导热胶等方面的应用中也具有突出的优势。
4℃冷藏密封保存
如果您有什么问题，意见或建议，请填写下面的表格，我们会尽快回复您。
